肖特基二極管的結構： 新型高壓肖特基二極管的結構和材料與傳統(tǒng)肖特基二極管是有區(qū)別的。傳統(tǒng)SBD是通過金屬與半導體接觸而構成。金屬材料可選用鋁、金、鉬、鎳和鈦等，半導體通常為硅（Si）或砷化鎵（GaAs）。由于電子比空穴遷移率大，為獲得良好的頻率特性，故選用N型半導體材料作為基片。為了減小SBD的結電容，提高反向擊穿電壓，同時又不使串聯(lián)電阻過大，通常是在N+襯底上外延一高阻N－薄層。CP是管殼并聯(lián)電容，LS是引線電感，RS是包括半導體體電阻和引線電阻在內的串聯(lián)電阻，Cj和Rj分別為結電容和結電阻（均為偏流、偏壓的函數(shù)）。 廣東固锝電子科技有限公司專業(yè)生產(chǎn)銷售肖特基二極管二十多年，電流主要分為1A、2A、3A、5A、8A、10A、15A、20A、30A、45A，廣泛用于各類電源及消費類電子產(chǎn)品中。 肖特基二極管的作用： 肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護二極管，也有用在微波通信等電路中作整